近日,微容获得国家知识产权局颁发的发明专利证书:《一种便于分析MLCC陶瓷晶粒的样品处理方法》。此项专利是行业首个关于MLCC介质结构分析的发明专利,对高容量MLCC的研发与生产具有重大意义。
近年来,随着各类电子产品高度智能化和互联化发展,上游的电子元器件也经历着不断的技术变革。对MLCC而言,高容量是最重要的发展方向之一。
MLCC的高容量性能主要通过精密的材料和多层电极堆叠实现,其中关键的陶瓷介电材质已经进入纳米级的水平,对于这样精密材料的深入研究,需要使用精密的分析方法。
目前常用的陶瓷晶体形貌分析方法是化学腐蚀法,它操作简单方便,但对于于粒径较小的粉体以及耐酸腐蚀性强的粉体效果不明显。所以,对于高容量MLCC中使用的更精密的材料分析,热腐蚀法更能满足要求。然而,热腐蚀条件复杂,设备要求高,目前行业都没有公开的MLCC介质热腐蚀方法相关专利或资料。
为了解决这个高容量MLCC研发的关键问题,微容科技黄博士带领行业资深研发人员,利用升温速率达到10000℃/小时的烧结设备,探索出晶界挥发而晶粒形态保留的最佳条件和处理方法,成功应用于烧结后陶瓷介质的分析。
此项发明专利凭借其创新性与突破性,不到4个月的时间就通过了国家知识产权局的授权,成为同类技术的第一项发明专利,其科研价值和质量水平得到了的高度肯定。
本次关于陶瓷介质分析的发明专利,也是微容科技持续高研发投入的典型科研成果。公司专注于MLCC研究,已获得多项MLCC研发及制造专利,在高端MLCC领域的突破获得广泛认可。在中国电子元件协会公布的2021年电子元件百强企业中,微容科技研发实力位列第五。